全新原装现货D209L,欢迎来人来电咨询洽谈订购！
产品特性
◆高耐压
◆高电流容量
◆高开关速度
◆高可靠性
主要用途
◆高频开关电源
◆电子镇流器
◆高频功率变换
◆一般功率放大电路3DD209L 是NPN 双极型大功率晶体管，制造中采用
的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技
术等，并且采取了能够限度的兼顾电流容量与耐
电冲击性的发射区网格的横向设计集电极—基极直流电压 VCBO 700 V
集电极—发射极直流电压 VCEO 400 V
发射极—基极直流电压 VEBO 9 V
集电极直流电流（DC） Ic 12 A
集电极脉冲电流（pulse） Icp 24 A
基极直流电流 IB 6 A
集电极耗散功率 Pc 120 W
结温 Tj 150 ℃
贮存温度 Tstg -55~+150 ℃集电极—发射极维持电压 VCEO(SUS) Ic=10mA,IB=0 400 V
集电极—基极击穿电压 V(BR)CBO Ic=1mA,IB=0 700 V
发射极—基极击穿电压 V(BR)EBO IE=1mA,Ic=0 9 V
集电极—基极反向漏电流 ICBO VCB=700V, IE=0 100 μA
集电极—发射极反向漏电流 ICEO VCE=400V,IB=0 50 μA
发射极—基极反向漏电流 IEBO VEB=7V, IC=0 10 μA
hFE(1) VCE=5V, IC=5A 8 40
直流电流增益
hFE(2) VCE=5V, IC=8A 5
VCE(sat)(1) IC=5A, IB=1A 1.2 V
集电极—发射极饱和压降
VCE(sat)(2) IC=8A, IB=1.6A 1.6 V
基极—发射极饱和压降 VBE(sat) IC=8A, IB=1.6A 1.6 V
下降时间 tf
VCC=24V IC=5A,
IB1=-IB2=1A 0.7 μS
贮存时间 ts
VCC=24V IC=5A,
IB1=-IB2=1A 3 μS
特征频率 fT VCE=10V, Ic=0.5A 4 - MHz结到管壳的热阻 Rth(j-c) 1.05 ℃/W
